硅管由硅制成，硅的結晶度高，熱容量較大，能承受更高的工作溫度，穩(wěn)定性更強；而鍺管由鍺制成，其導電性比硅差，熱容量較小，散熱效果相對較差，在高溫下容易發(fā)生本征電流增大的現(xiàn)象，影響器件性能。硅管的PN結正向工作溫度可達150~ 200℃，而鍺管只能在100℃左右的范圍內使用。
硅管的導通電壓約為0.6~0.7V，鍺管的導通電壓通常在0.2~0.3V，鍺管的導通電壓更低。在反向電壓下，硅管的漏電流遠小于鍺管，鍺管的反向飽和電流比硅管大幾十甚至幾百倍。硅管的反向擊穿電壓通常在幾百伏以上，而鍺管的反向擊穿電壓通常在幾十伏以內。
硅二極管適用高頻電路，具有快速開關特性；鍺二極管適合低頻放大電路。成本方面，硅管的成本相對較低。
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